. 一方、金属とp 型半導体を接触させた場合も同様に考えることができる。この時、多数キャリアが正孔であることを考慮すると金属の仕事関数φm がp 型半導体の仕事関数φp より大きい場合、オーム接触となり、その逆の場合は整流性接触となる。金属ナノ粒子の仕事関数は隣接層の仕事関数に合わせることはまだ課題である。金属や半導体などの仕事関数は、表面付近の電子状態に強く依存する。例えば、自己組織単分子膜（sam）が金属表面に形成することで、金属の仕事関数制御が可能である。一は，金属の種類が周期表上で左から右に行くにつれて仕事関数が大きくなり，貴金属の近くで仕事関数が減少に転じるというトレンドが，炭化物と純金属とで共通していること，純金属と炭化物の仕事関数の値が近いこと，である．. 化合物の仕事関数化合物仕事関数〔ev〕 beo (ba, st)co3 graphite la2o3 mgo ceo2 al2o3 sio2 cao tio2 feo sro y2o3 zro2 3.80～4.70 1.25 4.00 2.80 4.70.

金属ナノ粒子の仕事関数は隣接層の仕事関数に合わせることはまだ課題である。金属や半導体などの仕事関数は、表面付近の電子状態に強く依存する。例えば、自己組織単分子膜（sam）が金属表面に形成することで、金属の仕事関数制御が可能である。一イオン性ゼロ si sio2 gase 電気陰性度の差 (イオン結合性) m bn d d s 0 s=1・・・バリア高さは仕事関数の差 s=0・・・バリア高さと仕事関数は無関係電気陰性度χと仕事関数 wの関係 20 rows 金属元素表面での仕事関数の値は、大体2～6 ev程度（ev：電子ボルト）である。金属単体として最も仕事関数が小さいのはセシウムで、1.93 evである。仕事関数の値は、表面における原子の種類、面の方位や、構造、或いは他の原子が吸着していることなどに.

一方、金属とp 型半導体を接触させた場合も同様に考えることができる。この時、多数キャリアが正孔であることを考慮すると金属の仕事関数φm がp 型半導体の仕事関数φp より大きい場合、オーム接触となり、その逆の場合は整流性接触となる。

化合物の仕事関数化合物仕事関数〔ev〕 beo (ba, st)co3 graphite la2o3 mgo ceo2 al2o3 sio2 cao tio2 feo sro y2o3 zro2 3.80～4.70 1.25 4.00 2.80 4.70. である。単体金属の仕事関数の一般的傾向は金属の電気陰性度で相関づけられ，paulingの電気陰性度をc として，f＝2.3c＋0.34と書ける3)。ただし注意すべきは，同一金属でも結晶方位により仕事関数が異なるというこ吉武道子 65 fig.1. 金属物性 945 アルミ合金の仕事関数高専生半導体物性 1008 p 型ゲルマニウムの仕事関数大学生酸化物物性 1052 itoの仕事関数大学生炭化物物性 1266 ニオブ酸リチウム, タンタル酸リチウムの仕事関数大学教員 415. 低い仕事関数のオリジン [8] 得られた仕事関数（~2.4 ev）は、アルカリ金属のcs（~2.1 ev）、rb（~2.2 ev）、k（~2.3 ev）、na（~2.8 ev）[12]に匹敵する低い値である。アルカリ金属単体は灯油中などに保存されていることからも分かる